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MSRT200160(A)D
| Fabricantes: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Categoria de produto: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Folha de dados: | MSRT200160(A)D |
| Descrição: | DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Categoria de produto | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Velocidade | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Série | - |
| Embalagem | Bulk |
| Tipo de diodo | Standard |
| Parte Status | Active |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / Caso | Three Tower |
| Configuração de diodo | 1 Pair Series Connection |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | Three Tower |
| Atual - Vazamento reverso @ Vr | 10µA @ 1600V |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
| Temperatura operacional - Junção | -55°C ~ 150°C |
| Tensão - Forward (Vf) (Max) @ Se | 1.1V @ 200A |
| Atual - Médio Corrigido (Io) (por Diode) | 200A |
Em estoque 80 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $78.27 | $76.70 | $75.17 |
Mínimo: 1
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