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MURTA20060R

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Categoria de produto: Diodes - Rectifiers - Arrays
Folha de dados: MURTA20060R
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante GeneSiC Semiconductor
Categoria de produto Diodes - Rectifiers - Arrays
Velocidade Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série -
Embalagem Bulk
Tipo de diodo Standard
Parte Status Active
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote / Caso Three Tower
Configuração de diodo 1 Pair Common Anode
Pacote de dispositivos de fornecedores Three Tower
Atual - Vazamento reverso @ Vr 25µA @ 600V
Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Temperatura operacional - Junção -55°C ~ 150°C
Tensão - Forward (Vf) (Max) @ Se 1.7V @ 100A
Atual - Médio Corrigido (Io) (por Diode) 100A

Em estoque 91 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$104.63 $102.54 $100.49
Mínimo: 1

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