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GP1M003A080CH

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: GP1M003A080CH
Descrição: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Global Power Technologies Group
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 94W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-252, (D-Pak)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 800V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 696pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 64 pcs

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