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GP1M004A090H

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: GP1M004A090H
Descrição: MOSFET N-CH 900V 4A TO220
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Global Power Technologies Group
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max) 123W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 900V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 955pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 65 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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