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GP1M009A020PG

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: GP1M009A020PG
Descrição: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Global Power Technologies Group
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 52W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 414pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 90 pcs

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