A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

GP2M005A060CG

Fabricantes:	Global Power Technologies Group
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	GP2M005A060CG
Descrição:	MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Global Power Technologies Group
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1Ohm @ 2.1A, 10V
Dissipação de energia (Max)	98.4W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	D-Pak
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	658pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	4.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V