GP2M011A090NG
Fabricantes: | Global Power Technologies Group |
---|---|
Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | GP2M011A090NG |
Descrição: | MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
---|---|
Fabricante | Global Power Technologies Group |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | - |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Tube |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Obsolete |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 5.5A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 416W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-3PN |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 900V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3240pF @ 25V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 89 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1