A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

GPA030A120MN-FD

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: GPA030A120MN-FD
Descrição: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Global Power Technologies Group
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Embalagem Tube
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 330nC
Parte Status Active
Potência - Máximo 329W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-3
Condição de teste 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Comutação de energia 4.5mJ (on), 850µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 40ns/245ns
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-3PN
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A
Tempo de recuperação reverso (trr) 450ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 60A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 90A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 1200V

Em estoque 73 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.93 $2.87 $2.81
Mínimo: 1

Citação de solicitação

Preencha o formulário abaixo e entraremos em contato com você o mais rápido possível

Bargain Finds

FGM623S
Sanken
$2.93
HGTG18N120BN
ON Semiconductor
$2.92
SGB15N120ATMA1
Infineon Technologies
$2.92
IXGH85N30C3
IXYS
$2.91
IXYA20N65C3D1
IXYS
$2.91