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GPA030A135MN-FDR

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: GPA030A135MN-FDR
Descrição: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Global Power Technologies Group
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Embalagem Tube
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 300nC
Parte Status Active
Potência - Máximo 329W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-3
Condição de teste 600V, 30A, 5Ohm, 15V
Comutação de energia 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 30ns/145ns
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-3PN
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A
Tempo de recuperação reverso (trr) 450ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 60A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 90A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 1350V

Em estoque 98 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.39 $2.34 $2.30
Mínimo: 1

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