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GSID200A170S3B1

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Modules
Folha de dados: GSID200A170S3B1
Descrição: SILICON IGBT MODULES
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Global Power Technologies Group
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Série Amp+™
Tipo IGBT -
Parte Status Active
Potência - Máximo 1630W
Configuração 2 Independent
Tipo de montagem Chassis Mount
NTC Thermistor No
Pacote / Caso D-3 Module
Temperatura operacional -40°C ~ 150°C
Pacote de dispositivos de fornecedores D3
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 400A
Input Capacitance (Cies) @ Vce 26nF @ 25V
Atual - Corte de colecionador (Max) 1mA
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 1200V

Em estoque 57 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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