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IXFH6N100F

Fabricantes: IXYS-RF
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IXFH6N100F
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante IXYS-RF
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série HiPerRF™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-247-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max) 180W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-247 (IXFH)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 1000V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1770pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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