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IXFA12N65X2

Fabricantes: IXYS
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IXFA12N65X2
Descrição: MOSFET N-CH
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante IXYS
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série HiPerFET™
Fet tipo N-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 310mOhm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max) 180W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-263AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.5nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1134pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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