IXFH66N20Q
Fabricantes: | IXYS |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | IXFH66N20Q |
Descrição: | MOSFET N-CH 200V 66A TO-247 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | IXYS |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | HiPerFET™ |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Tube |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Obsolete |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | TO-247-3 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 33A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 400W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-247AD (IXFH) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 200V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3700pF @ 25V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 66A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 94 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1