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IXFK360N10T

Fabricantes:	IXYS
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IXFK360N10T
Descrição:	MOSFET N-CH 100V 360A TO-264
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	IXYS
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	GigaMOS™ HiPerFET™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-264-3, TO-264AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 3mA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max)	1250W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-264AA (IXFK)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	525nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	33000pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	360A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V