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IXFM11N80

Fabricantes: IXYS
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IXFM11N80
Descrição: POWER MOSFET TO-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante IXYS
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série HiPerFET™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Last Time Buy
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-204AA, TO-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 300W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-204AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 800V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 55 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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