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IXFN110N60P3

Fabricantes:	IXYS
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IXFN110N60P3
Descrição:	MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	IXYS
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	HiPerFET™, Polar3™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Chassis Mount
Pacote / Caso	SOT-227-4, miniBLOC
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	56mOhm @ 55A, 10V
Dissipação de energia (Max)	1500W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	SOT-227B
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	245nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	18000pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V