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IXFN50N120SIC

Fabricantes:	IXYS
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IXFN50N120SIC
Descrição:	MOSFET N-CH
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	IXYS
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	+20V, -5V
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Chassis Mount
Pacote / Caso	SOT-227-4, miniBLOC
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 2mA
Temperatura operacional	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 40A, 20V
Dissipação de energia (Max)	-
Pacote de dispositivos de fornecedores	SOT-227B
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 20V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	1200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 1000V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	47A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V