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IXFR10N100Q

Fabricantes:	IXYS
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IXFR10N100Q
Descrição:	MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	IXYS
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	HiPerFET™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	ISOPLUS247™
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 4mA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max)	250W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	ISOPLUS247™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	1000V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2900pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V