IXFT12N100
Fabricantes: | IXYS |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | IXFT12N100 |
Descrição: | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | IXYS |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | HiPerFET™ |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Tube |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 6A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 300W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-268 |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 1000V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 25V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 96 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$14.08 | $13.80 | $13.52 |
Mínimo: 1