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IXFT12N100

Fabricantes: IXYS
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IXFT12N100
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante IXYS
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série HiPerFET™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max) 300W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-268
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 1000V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 96 pcs

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