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IXFT6N100Q

Fabricantes:	IXYS
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IXFT6N100Q
Descrição:	MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	IXYS
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	HiPerFET™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 2.5mA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9Ohm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max)	180W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-268
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	1000V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V