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IXSQ20N60B2D1

Fabricantes: IXYS
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: IXSQ20N60B2D1
Descrição: IGBT 600V 35A 190W TO3P
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante IXYS
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT PT
Embalagem Bulk
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 33nC
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 190W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-3P-3, SC-65-3
Condição de teste -
Número da parte base IXS*20N60
Comutação de energia 380µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 30ns/116ns
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-3P
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 16A
Tempo de recuperação reverso (trr) 30ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 35A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 600V

Em estoque 61 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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