Image is for reference only , details as Specifications

IXTA1N200P3HV

Fabricantes:	IXYS
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IXTA1N200P3HV
Descrição:	MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	IXYS
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40Ohm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max)	125W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-263 (IXTA)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23.5nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	2000V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	646pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V