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IXTA1R6N100D2HV

Fabricantes: IXYS
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IXTA1R6N100D2HV
Descrição: MOSFET N-CH
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante IXYS
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso Depletion Mode
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 800mA, 0V
Dissipação de energia (Max) 100W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-263HV
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 1000V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 645pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 1.6A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V

Em estoque 62 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.59 $2.54 $2.49
Mínimo: 1

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