A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

IXTA1R6N100D2HV

Fabricantes:	IXYS
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IXTA1R6N100D2HV
Descrição:	MOSFET N-CH
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	IXYS
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	Depletion Mode
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10Ohm @ 800mA, 0V
Dissipação de energia (Max)	100W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-263HV
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	1000V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	645pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	1.6A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V