IXTA1R6N100D2HV
Fabricantes: | IXYS |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | IXTA1R6N100D2HV |
Descrição: | MOSFET N-CH |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | IXYS |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | - |
Fet tipo | N-Channel |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | Depletion Mode |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 800mA, 0V |
Dissipação de energia (Max) | 100W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-263HV |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 1000V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 645pF @ 10V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 1.6A (Tj) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Em estoque 62 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$2.59 | $2.54 | $2.49 |
Mínimo: 1