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IXTA3N100D2

Fabricantes: IXYS
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IXTA3N100D2
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante IXYS
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso Depletion Mode
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id -
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Dissipação de energia (Max) 125W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-263 (IXTA)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37.5nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 1000V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -

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