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IXTD2N60P-1J

Fabricantes:	IXYS
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IXTD2N60P-1J
Descrição:	MOSFET N-CH 600
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	IXYS
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	PolarHV™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Bulk
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	Die
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.1Ohm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max)	56W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	Die
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	240pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V