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IXTD4N80P-3J

Fabricantes: IXYS
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IXTD4N80P-3J
Descrição: MOSFET N-CH 800
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante IXYS
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série PolarHV™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Bulk
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso Die
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 100µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4Ohm @ 1.8A, 10V
Dissipação de energia (Max) 100W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores Die
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.2nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 800V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 93 pcs

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