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IXTF6N200P3

Fabricantes: IXYS
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IXTF6N200P3
Descrição: MOSFET N-CH
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante IXYS
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série Polar™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso ISOPLUSi5-Pak™
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max) 215W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores ISOPLUS i4-PAC™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 143nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 2000V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3700pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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