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IXTH1N170DHV

Fabricantes:	IXYS
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IXTH1N170DHV
Descrição:	MOSFET N-CH
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	IXYS
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	Depletion Mode
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-247-3 Variant
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16Ohm @ 500mA, 0V
Dissipação de energia (Max)	290W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-247HV
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	1700V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3090pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	1A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V