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VWM200-01P
| Fabricantes: | IXYS |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Folha de dados: | VWM200-01P |
| Descrição: | MOSFET 6N-CH 100V 210A V2 |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | IXYS |
| Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Série | - |
| Fet tipo | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Embalagem | Bulk |
| Fet recurso | Standard |
| Parte Status | Obsolete |
| Potência - Máximo | - |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | V2-PAK |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
| Temperatura operacional | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 100A, 10V |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | V2-PAK |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 430nC @ 10V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 100V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 210A |
Em estoque 59 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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