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AUIRF7343Q

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: AUIRF7343Q
Descrição: MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série HEXFET®
Fet tipo N and P-Channel
Embalagem Tube
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 2W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 55V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 4.7A, 3.4A

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