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AUIRF7343Q

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	AUIRF7343Q
Descrição:	MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	HEXFET®
Fet tipo	N and P-Channel
Embalagem	Tube
Fet recurso	Logic Level Gate
Parte Status	Obsolete
Potência - Máximo	2W
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 4.7A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	55V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	740pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	4.7A, 3.4A