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BCR162E6327HTSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Folha de dados: BCR162E6327HTSA1
Descrição: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Last Time Buy
Potência - Máximo 200mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Número da parte base BCR162
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Frequência - Transição 200MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-23-3
Resistor - Base de Emissores (R2) 4.7 kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 100nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 5mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

Em estoque 93 pcs

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