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BFR35APE6327HTSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Folha de dados: BFR35APE6327HTSA1
Descrição: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Ganhar 10.5dB ~ 16dB
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Active
Potência - Máximo 280mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de transistor NPN
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Frequência - Transição 5GHz
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-23-3
Figura do ruído (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 45mA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 15mA, 8V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 15V

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