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BSB012NE2LXIXUMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: BSB012NE2LXIXUMA1
Descrição: MOSFET N-CH 25V 170A WDSON
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 3-WDSON
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Temperatura operacional -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max) 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores MG-WDSON-2, CanPAK M™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 25V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5852pF @ 12V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 170A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Em estoque 73 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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