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BSB104N08NP3GXUSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: BSB104N08NP3GXUSA1
Descrição: MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 3-WDSON
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA
Temperatura operacional -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max) 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores MG-WDSON-2, CanPAK M™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 80V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 40V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 13A (Ta), 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 93 pcs

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