BSB104N08NP3GXUSA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | BSB104N08NP3GXUSA1 |
Descrição: | MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | OptiMOS™ |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 3-WDSON |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Temperatura operacional | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4mOhm @ 10A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 2.8W (Ta), 42W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 80V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2100pF @ 40V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 50A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 93 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.60 | $0.59 | $0.58 |
Mínimo: 1