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BSB165N15NZ3GXUMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	BSB165N15NZ3GXUMA1
Descrição:	MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	OptiMOS™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	3-WDSON
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 110µA
Temperatura operacional	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.5mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max)	2.8W (Ta), 78W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	150V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2800pF @ 75V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	9A (Ta), 45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V