A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

BSC019N06NSATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	BSC019N06NSATMA1
Descrição:	DIFFERENTIATED MOSFETS
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	OptiMOS™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3.3V @ 74µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.95mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max)	136W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TDSON-8 FL
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	77nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5.25nF @ 30V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	100A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V