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BSC022N04LS6ATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	BSC022N04LS6ATMA1
Descrição:	TRENCH <= 40V
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	OptiMOS™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max)	3W (Ta), 79W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TDSON-8-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	40V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 20V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	27A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V