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BSC0910NDIATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: BSC0910NDIATMA1
Descrição: MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série OptiMOS™
Fet tipo 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Embalagem Tape & Reel (TR)
Fet recurso Logic Level Gate, 4.5V Drive
Parte Status Active
Potência - Máximo 1W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 25A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TISON-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 25V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 12V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 11A, 31A

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