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BSC098N10NS5ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: BSC098N10NS5ATMA1
Descrição: MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 36µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.8mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TDSON-8-7
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Em estoque 28 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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