A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

BSC106N025S G

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	BSC106N025S G
Descrição:	MOSFET N-CH 25V 30A TDSON-8
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	OptiMOS™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 20µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.6mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max)	2.8W (Ta), 43W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TDSON-8-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	25V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1370pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	13A (Ta), 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V