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BSC900N20NS3GATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: BSC900N20NS3GATMA1
Descrição: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 30µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 7.6A, 10V
Dissipação de energia (Max) 62.5W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TDSON-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.6nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 15.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 95 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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