BSG0811NDATMA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Folha de dados: | BSG0811NDATMA1 |
Descrição: | MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Série | OptiMOS™ |
Fet tipo | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Embalagem | Digi-Reel® |
Fet recurso | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Parte Status | Active |
Potência - Máximo | 2.5W |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 8-PowerTDFN |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V |
Pacote de dispositivos de fornecedores | PG-TISON-8 |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 25V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 12V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 19A, 41A |
Em estoque 39 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1