A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

BSG0813NDIATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	BSG0813NDIATMA1
Descrição:	MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	-
Fet tipo	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Fet recurso	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Parte Status	Active
Potência - Máximo	2.5W
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 155°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3mOhm @ 20A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TISON-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.4nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	25V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 12V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	19A, 33A