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BSM150GB170DN2HOSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Modules
Folha de dados: BSM150GB170DN2HOSA1
Descrição: MODULE IGBT 1700V
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Série -
Tipo IGBT -
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 1250W
Configuração Half Bridge
Tipo de montagem Chassis Mount
NTC Thermistor No
Pacote / Caso Module
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores Module
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 150A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 220A
Input Capacitance (Cies) @ Vce 20nF @ 25V
Atual - Corte de colecionador (Max) 1.5mA
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 1700V

Em estoque 79 pcs

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