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BSO612CV

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: BSO612CV
Descrição: MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série SIPMOS®
Fet tipo N and P-Channel
Embalagem Cut Tape (CT)
Fet recurso Standard
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 2W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número da parte base BSO612
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores P-DSO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.5nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 3A, 2A

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