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BSO615CT

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: BSO615CT
Descrição: MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série SIPMOS®
Fet tipo N and P-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 2W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número da parte base BSO615
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3.1A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-DSO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.5nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 3.1A, 2A

Em estoque 64 pcs

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