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BSP129E6327

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: BSP129E6327
Descrição: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série SIPMOS®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso Depletion Mode
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-261-4, TO-261AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 108µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 350mA, 10V
Dissipação de energia (Max) 1.8W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-SOT223-4
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.7nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 240V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 108pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 350mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V

Em estoque 89 pcs

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