BSP149 E6327
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | BSP149 E6327 |
Descrição: | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | SIPMOS® |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | Depletion Mode |
Parte Status | Obsolete |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | TO-261-4, TO-261AA |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 400µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 660mA, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 1.8W (Ta) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | PG-SOT223-4 |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 200V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 25V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 660mA (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
Em estoque 80 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1