BSP88H6327XTSA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | BSP88H6327XTSA1 |
Descrição: | MOSFET N-CH 4SOT223 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | SIPMOS® |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Digi-Reel® |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | TO-261-4, TO-261AA |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 108µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 350mA, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 1.8W (Ta) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | PG-SOT223-4 |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 240V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 95pF @ 25V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 350mA (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8V, 10V |
Em estoque 2227 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1