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BSP88H6327XTSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: BSP88H6327XTSA1
Descrição: MOSFET N-CH 4SOT223
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série SIPMOS®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-261-4, TO-261AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 108µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 350mA, 10V
Dissipação de energia (Max) 1.8W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-SOT223-4
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 240V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 95pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 350mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 10V

Em estoque 2227 pcs

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