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BSS806NEH6327XTSA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	BSS806NEH6327XTSA1
Descrição:	MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	0.75V @ 11µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Dissipação de energia (Max)	500mW (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.7nC @ 2.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	529pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	2.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 2.5V